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原子層蝕刻設備是一種先進的蝕刻技術，可精準的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進一步減小，需要進一步的使用ALE才能達到其所需的精度。

感應耦合電漿蝕刻是在標準反應離子蝕刻（RIE）的基礎上，添加電感耦合電漿的。感應耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產生的高密度電漿被線圈包圍，將充當變壓器中的次級線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產生更多的離子和電子。

反應離子蝕刻設備中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

RIE等離子刻蝕機SI 591：預真空室和計算機控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優(yōu)異的工藝再現性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是SI 591的設計特點。樣品直徑大可達200mm，通過載片器加載。SI 591可以配置為穿墻式操作或具有更多選項的小占地面積操作。

RIE Etchlab 200等離子刻蝕機根據其模塊化設計，等離子蝕刻機Etchlab 200可升級為更大的真空泵組，預真空室和更多的氣路。

等離子刻蝕機由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用我們的等離子體刻蝕機SI 500進行低損傷刻蝕和納米結構的刻蝕。

進口深硅刻蝕：三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能，非常適用于加工各種材料和結構。

反應離子刻蝕機我們的等離子蝕刻設備包括用功能*的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面，參數窗口，工藝窗口，數據記錄和用戶管理。